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英特尔晒出未来芯片”三张底牌”:CFET、氮化镓+硅集成、钌互连

在2026年VLSI国际研讨会上,英特尔代工展示了其制程路线图和技术创新,介绍了Intel 18A-P的风险试产进展。该技术在性能、功耗和设计上具有优势,采用全环绕栅极晶体管和背面供电技术,推动未来芯片微缩。

英特尔晒出未来芯片”三张底牌”:CFET、氮化镓+硅集成、钌互连

量子位 量子位 · 2026-06-17T02:29:52Z
深入探讨超大规模集成电路:现代电子的支柱

超大规模集成电路(VLSI)将数百万个晶体管集成在单个硅芯片上,广泛应用于消费电子、人工智能和医疗等领域。设计过程复杂,面临功耗和制造成本等挑战。未来,神经形态计算、量子计算和新材料将推动VLSI的发展。

深入探讨超大规模集成电路:现代电子的支柱

DEV Community DEV Community · 2025-02-13T02:35:26Z

文章介绍了《计算机组织与设计》第1.5章,讨论晶体管作为电控开关的作用,以及集成电路是多个晶体管组合在芯片上的结果。摩尔定律预测芯片上晶体管数量的增长,但因物理限制减缓。具有数十万晶体管的电路称为超大规模集成电路(VLSI)。自1977年以来,DRAM芯片的晶体管容量增加了16000倍。集成电路的制造和成本对计算机设计至关重要。

第15天 - 1.5 处理器和存储器构建技术

DEV Community DEV Community · 2024-10-14T00:19:33Z
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