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英特尔晒出未来芯片”三张底牌”：CFET、氮化镓+硅集成、钌互连
原文中文，约700字，阅读约需2分钟。
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内容提要
在2026年VLSI国际研讨会上，英特尔代工展示了其制程路线图和技术创新，介绍了Intel 18A-P的风险试产进展。该技术在性能、功耗和设计上具有优势，采用全环绕栅极晶体管和背面供电技术，推动未来芯片微缩。
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关键要点
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在2026年VLSI国际研讨会上，英特尔代工展示了其制程路线图和技术创新。
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Intel 18A-P作为Intel 18A系列的首个性能增强版本，已进入风险试产阶段。
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英特尔代工在性能、功耗和设计方面具有优势，得益于晶体管、互连和设计技术的协同优化。
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英特尔的工程团队探讨了全环绕栅极晶体管和背面供电技术如何推动未来芯片微缩。
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