应用拉格朗日乘子的受限贝叶斯优化在功率晶体管设计中的应用
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原文中文,约400字,阅读约需1分钟。
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内容提要
本文提出了一种新颖的受限贝叶斯优化算法,用于优化侧向扩散金属氧化物半导体晶体管的设计过程,实现目标击穿电压。该算法通过引入拉格朗日乘子,将受限BO问题转化为传统BO问题,并将拉格朗日函数设置为目标函数。利用具有可变拉格朗日乘子的自适应目标函数,可以解决需要耗费昂贵评估的约束BO问题,无需额外的替代模型来近似约束条件。该算法使设备设计师能够在设计空间中设置目标击穿电压,并自动获得满足优化FOM和目标击穿电压约束的设备。利用该算法,还在定义的设计空间内探索了30-50V范围内设备FOM的物理限制。
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关键要点
- 提出了一种新颖的受限贝叶斯优化算法,用于优化侧向扩散金属氧化物半导体晶体管的设计过程。
- 该算法通过引入拉格朗日乘子,将受限BO问题转化为传统BO问题。
- 拉格朗日函数被设置为BO的目标函数。
- 利用可变拉格朗日乘子的自适应目标函数,解决了约束BO问题,无需额外的替代模型。
- 该算法使设计师能够在设计空间中设置目标击穿电压,并自动获得满足优化FOM和目标击穿电压约束的设备。
- 在定义的设计空间内探索了30-50V范围内设备FOM的物理限制。
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