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M31基于台积公司N6e先进制程开发系列存储器编译器
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原文中文，约700字，阅读约需2分钟。
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内容提要
圆星科技（M31）在台积电OIP论坛上推出了针对N6e平台的超低漏电和低电压存储器编译器，专为AI和物联网设计，优化低功耗。M31连续第八年获得台积电OIP特殊制程IP奖。
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关键要点
- 圆星科技（M31）在台积电OIP论坛上推出针对N6e平台的超低漏电和低电压存储器编译器，专为AI和物联网设计。
- M31连续第八年获得台积电OIP特殊制程IP奖。
- 新推出的存储器编译器包括ULL、ELL和低电压操作（Low-VDD），旨在优化低功耗。
- N6e制程ULL存储器编译器具备高密度、高性能的SRAM与One Port Register File，支持多种功能。
- ELL存储器编译器在深度睡眠模式下可降低高达50%功耗。
- 低电压存储器编译器可在仅0.5V的操作电压下运行，显著降低动态与漏电功耗。
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