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CMOS电路的IDD测试
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原文英文，约400词，阅读约需2分钟。
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内容提要
IDD测试是衡量CMOS电路中从漏极到漏极的电流流动的指标。静态IDD测试是在DUT处于静态状态时测量从VDD引脚流出的电流。动态IDD测试是在DUT不断执行某些功能时测量从VDD引脚流出的电流。静态IDDQ测试是在静态状态下测量IDD，用于检测电路核心中的小缺陷。测试方法包括施加VDDmax电压并测量电流值。
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关键要点
- IDD测试是衡量CMOS电路中从漏极到漏极的电流流动的指标。
- 静态IDD测试是在DUT处于静态状态时测量从VDD引脚流出的电流。
- 静态IDD值表示DUT的最低电流消耗，对电池供电设备尤为重要。
- 静态IDD测试方法包括施加VDDmax电压并测量电流值。
- 动态IDD测试是在DUT不断执行某些功能时测量从VDD引脚流出的电流。
- 动态IDD测试同样对电池供电设备重要。
- 静态IDD测试方法与动态IDD测试方法类似，但DUT需处于持续工作状态。
- 静态IDDQ测试是在静态状态下测量IDD，用于检测电路核心中的小缺陷。
- IDDQ测试方法包括施加VDDmax电压并在特定工作状态下测量电流值。
- 测试需重复进行以验证不同工作状态下的电流值。
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