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三星与长江存储签署混合键合专利许可协议 三星需使用晶栈封装高性能NAND
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原文中文，约1100字，阅读约需3分钟。
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内容提要
三星电子与长江存储签署混合键合专利许可协议，利用该技术生产高密度高性能NAND，提升芯片性能和散热。长江存储的晶栈技术已广泛应用，未来存储器制造商需购买相关专利许可，SK海力士也将签署类似协议。
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关键要点
- 三星电子与长江存储签署混合键合专利许可协议，使用该技术生产高密度高性能NAND。
- 混合键合技术是长江存储的晶栈封装技术，主要用于芯片的垂直或3D堆叠。
- 该技术通过直接铜对铜连接，提升了芯片的性能和散热特性。
- 长江存储的专利涉及高密度存储的封装方式，未来存储器制造商需购买相关专利许可。
- SK海力士预计也将签署类似的专利许可协议，以开发高性能NAND产品。
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延伸问答
三星与长江存储签署的协议内容是什么？
三星与长江存储签署了混合键合专利许可协议，使用该技术生产高密度高性能NAND。
混合键合技术有什么特点？
混合键合技术通过直接铜对铜连接，省略了凸块，适用于芯片的垂直或3D堆叠，提升了性能和散热特性。
长江存储的晶栈技术是什么？
晶栈技术是长江存储开发的3D NAND混合键合技术，主要用于高密度存储的封装方式。
未来存储器制造商需要做什么？
未来存储器制造商需要购买长江存储的相关专利许可，以便使用高密度存储的封装技术。
SK海力士与长江存储的关系如何？
SK海力士预计也将签署类似的专利许可协议，以开发高性能NAND产品。
混合键合技术对芯片性能有什么影响？
混合键合技术可以缩短电气路径，提高芯片的性能和散热特性。
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