内存价格飙升正推高iPhone等电子产品售价。AI需求加剧了DRAM和NAND短缺,三大厂商将产能转向高利润的HBM芯片,导致消费级内存成本暴涨。新建晶圆厂需数年才能投产,预计短缺持续至2027年后,价格将维持高位,苹果等厂商被迫提价。
阿里巴巴将出售灵犀互娱股份,信宸资本接盘;DeepSeek上调V4模型使用费,价格仍低于对手;OpenAI GPT-5.6 Luna降价80%应对竞争;英伟达缩减对OpenAI的担保规模;腾讯AI投资激增致利润增速放缓;三星研发投入创新高,长江存储首进NAND闪存份额前三。
SK海力士重启大连NAND二厂建设,并投资380亿美元扩产;索尼与台积电拟合资建图像传感器厂;英特尔扩大股票发行至200亿美元;字节跳动预训练10万亿参数AI模型;扎克伯格主张允许模型蒸馏;苹果支付负责人退休。
SK海力士完成375层NAND闪存芯片的技术验证,计划年底量产。为提高性能,正尝试用钼膜替代传统的钨膜,钼膜在高层数下表现更佳。预计到2030年,钼在半导体行业的需求将显著增长。
深圳佰维存储与某供应商签署了价值18.608亿美元的锁量锁价合同,确保未来两年获得3D NAND芯片供应。2027年的采购量仅占2025年总量的14.88%,显示出需求仍未满足。行业分析认为,更多企业可能会效仿此举,以确保稳定供应。
铠侠计划于2026年9月30日停止接单2D NAND闪存芯片,最终出货截止至2028年12月31日,全面转向3D结构,标志着平面NAND时代的结束。
Arasan Chip Systems推出支持xSPI和eMMC协议的组合PHY IP,适用于国防、航空航天和医疗设备等关键领域,满足高性能和小面积存储需求,同时优化功耗和成本。
在广州举行的 AIDONE 线下活动中,参与者学习快速创建 AI 工具。苹果计划下月测试基于 Gemini 的新一代 Siri。iPhone Air 降价引发关注,三星 NAND 价格大幅上涨。追觅公司员工已启程南极,英伟达 CEO 黄仁勋在上海市场引发围观。
美光在CES 2026上推出3610固态硬盘,采用M.2 2230规格和PCIe 5.0协议,主要面向OEM制造商。该硬盘使用4-bit QLC闪存,具备高存储密度和电源效率,但寿命较短,适合笔记本和游戏掌机,详细性能参数尚未公布。
SK海力士宣布已完成321层2Tb QLC NAND闪存的开发并启动量产,成为全球首个超过300层的QLC产品。新产品在容量和性能上优于前代,数据传输速度翻倍,写入性能提升56%。该技术将首先应用于PC SSD,随后扩展至企业级SSD和智能手机存储。
美光停止移动NAND产品开发,台积电将停产6英寸晶圆。华为推出AI推理技术UCM,深圳将开设第三家苹果店。Perplexity AI计划收购谷歌Chrome,OpenAI发布GPT-5模型。苹果否认偏袒OpenAI,GitHub将并入微软。
NEO Semiconductor 宣布将于 2026 年推出 512GB 内存条,采用 3D X-DRAM 技术,通过垂直堆叠提升密度和性能,适用于人工智能和高性能计算。目前方案仍在早期验证阶段,未来需与硬件制造商合作。
铠侠推出122.88TB的LC9数据中心级固态硬盘,采用32个4TB QLC NAND闪存芯片,基于PCIe Gen 5平台,连续读取速度接近15,000MB/s,适合读取密集型应用,耐久性为0.3 DWPD,提供5年质保。
三星电子与长江存储签署混合键合专利许可协议,利用该技术生产高密度高性能NAND,提升芯片性能和散热。长江存储的晶栈技术已广泛应用,未来存储器制造商需购买相关专利许可,SK海力士也将签署类似协议。
西部数据宣布退出固态硬盘市场,NAND和SSD业务将由闪迪接手,专注于机械硬盘,以满足日益增长的数据存储需求。
集邦资讯报告显示,2024年第四季度NAND市场因需求疲软,营收下降6.2%,预计2025年第一季度将大幅下滑20%。制造商转向DRAM和企业级SSD以提升利润。
三星电子于9月24日宣布推出首款采用第8代3D垂直闪存的PCIe 4.0车载固态硬盘“AM9C1”,提供多种存储容量选择,预计明年量产。
本文研究了高维向量数据库的存储与搜索,提出了一种基于内容的外部记忆访问方法,提升了记忆增强神经网络的性能。通过量化方法压缩记忆扩充神经网络,并开发了新型计算架构,结合注意机制实现高效图像分类。此外,提出了多任务自适应的神经网络编码方法和基于记忆的推断机制,显著提高了计算效率和准确性。
日本闪存芯片制造商Kioxia计划在东京证券交易所上市,旨在筹集至少5亿美元,并实现超过100亿美元的估值。Kioxia是全球第三大NAND闪存供应商,此前曾试图与Western Digital合并其NAND业务,但被SK Hynix拒绝。Kioxia的IPO正值人工智能技术快速发展,对存储芯片需求增加。IPO后的主要股东将是Bain Capital(56.24%)、东芝(40.64%)和LVMH(3.13%)。尚未披露IPO后这些股东的股份稀释情况。
闪存结合了ROM和RAM的优点,具有可编程和可擦除的特性,数据读取快速,是非易失性随机存取存储器(NVRAM)。NOR Flash通常用于存储重要信息,如程序和操作系统,而NAND Flash更适合大容量存储的成本效益。大多数设备如手机和固态硬盘使用NAND Flash。在微控制器中,由于其较好的写入性能和稳定性,通常使用NOR Flash作为内部存储。
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