SK海力士完成375层NAND闪存芯片的技术验证，计划年底量产。为提高性能，正尝试用钼膜替代传统的钨膜，钼膜在高层数下表现更佳。预计到2030年，钼在半导体行业的需求将显著增长。

深圳佰维存储与某供应商签署了价值18.608亿美元的锁量锁价合同，确保未来两年获得3D NAND芯片供应。2027年的采购量仅占2025年总量的14.88%，显示出需求仍未满足。行业分析认为，更多企业可能会效仿此举，以确保稳定供应。

铠侠计划于2026年9月30日停止接单2D NAND闪存芯片，最终出货截止至2028年12月31日，全面转向3D结构，标志着平面NAND时代的结束。

铠侠推出122.88TB的LC9数据中心级固态硬盘，采用32个4TB QLC NAND闪存芯片，基于PCIe Gen 5平台，连续读取速度接近15,000MB/s，适合读取密集型应用，耐久性为0.3 DWPD，提供5年质保。

三星电子与长江存储签署混合键合专利许可协议，利用该技术生产高密度高性能NAND，提升芯片性能和散热。长江存储的晶栈技术已广泛应用，未来存储器制造商需购买相关专利许可，SK海力士也将签署类似协议。

西部数据宣布退出固态硬盘市场，NAND和SSD业务将由闪迪接手，专注于机械硬盘，以满足日益增长的数据存储需求。

集邦资讯报告显示，2024年第四季度NAND市场因需求疲软，营收下降6.2%，预计2025年第一季度将大幅下滑20%。制造商转向DRAM和企业级SSD以提升利润。

本文研究了高维向量数据库的存储与搜索，提出了一种基于内容的外部记忆访问方法，提升了记忆增强神经网络的性能。通过量化方法压缩记忆扩充神经网络，并开发了新型计算架构，结合注意机制实现高效图像分类。此外，提出了多任务自适应的神经网络编码方法和基于记忆的推断机制，显著提高了计算效率和准确性。

日本闪存芯片制造商Kioxia计划在东京证券交易所上市，旨在筹集至少5亿美元，并实现超过100亿美元的估值。Kioxia是全球第三大NAND闪存供应商，此前曾试图与Western Digital合并其NAND业务，但被SK Hynix拒绝。Kioxia的IPO正值人工智能技术快速发展，对存储芯片需求增加。IPO后的主要股东将是Bain Capital（56.24%）、东芝（40.64%）和LVMH（3.13%）。尚未披露IPO后这些股东的股份稀释情况。

闪存结合了ROM和RAM的优点，具有可编程和可擦除的特性，数据读取快速，是非易失性随机存取存储器（NVRAM）。NOR Flash通常用于存储重要信息，如程序和操作系统，而NAND Flash更适合大容量存储的成本效益。大多数设备如手机和固态硬盘使用NAND Flash。在微控制器中，由于其较好的写入性能和稳定性，通常使用NOR Flash作为内部存储。

三星计划推出下一代QLC NAND V9解决方案，堆叠层数达到280层，容量密度为28.5Gb/mm²，速度为3.2Gbps。预计推出8TB QLC M.2固态硬盘。

存储器分为主存储器和辅助存储器，常见的辅助存储器有硬盘、软盘、光盘和U盘。内存是中间桥梁，提高数据运算速度。存储器层次结构包括暂存器、快取存储器、主存储器和辅助存储器。不同种类的存储器有不同的储存容量、工作速度和单位价格。常见的存储器有SRAM、DRAM、SDRAM、NOR闪存等。

铠侠开始量产2TB microSD卡，采用16个1Tb的3D NAND闪存，厚度小于0.8毫米，读取速度100MB/S，写入速度90MB/S，支持4K和高速视频录制。适用于数码相机、行程记录仪、视频博主、游戏玩家、无人机和智能手机等。价格未公布，将于下个季度上市。