铠侠计划于2026年9月30日停止接单2D NAND闪存芯片，最终出货截止至2028年12月31日，全面转向3D结构，标志着平面NAND时代的结束。

铠侠推出122.88TB的LC9数据中心级固态硬盘，采用32个4TB QLC NAND闪存芯片，基于PCIe Gen 5平台，连续读取速度接近15,000MB/s，适合读取密集型应用，耐久性为0.3 DWPD，提供5年质保。

三星电子与长江存储签署混合键合专利许可协议，利用该技术生产高密度高性能NAND，提升芯片性能和散热。长江存储的晶栈技术已广泛应用，未来存储器制造商需购买相关专利许可，SK海力士也将签署类似协议。

西部数据宣布退出固态硬盘市场，NAND和SSD业务将由闪迪接手，专注于机械硬盘，以满足日益增长的数据存储需求。

集邦资讯报告显示，2024年第四季度NAND市场因需求疲软，营收下降6.2%，预计2025年第一季度将大幅下滑20%。制造商转向DRAM和企业级SSD以提升利润。

据韩联社消息，三星电子9月24日表示，公司在业内率先研制出采用第8代3D垂直闪存（V-NAND）的PCIe 4.0车载固态硬盘（SSD）“AM9C1”。AM9C1提供128GB、256GB、512GB、1太拉字节（TB）、2TB多种存储容量选择。以第8代V-NAND为准，2TB是业内现存最大容量，预计明年年初投入量产。三星计划今年量产256GB产品。（界面）

本研究提出了多位温度编码和非对称向量相似性搜索方法，解决了多类少样本学习中内存增强神经网络的容量和能量开销问题。通过优化控制器训练和减少搜索迭代次数，提高了系统的可靠性和准确性。搜索迭代次数最多减少32倍，准确性提升1.58%至6.94%。

日本闪存芯片制造商Kioxia计划在东京证券交易所上市，旨在筹集至少5亿美元，并实现超过100亿美元的估值。Kioxia是全球第三大NAND闪存供应商，此前曾试图与Western Digital合并其NAND业务，但被SK Hynix拒绝。Kioxia的IPO正值人工智能技术快速发展，对存储芯片需求增加。IPO后的主要股东将是Bain Capital（56.24%）、东芝（40.64%）和LVMH（3.13%）。尚未披露IPO后这些股东的股份稀释情况。

闪存结合了ROM和RAM的优点，具有可编程和可擦除的特性，数据读取快速，是非易失性随机存取存储器（NVRAM）。NOR Flash通常用于存储重要信息，如程序和操作系统，而NAND Flash更适合大容量存储的成本效益。大多数设备如手机和固态硬盘使用NAND Flash。在微控制器中，由于其较好的写入性能和稳定性，通常使用NOR Flash作为内部存储。

三星计划推出下一代QLC NAND V9解决方案，堆叠层数达到280层，容量密度为28.5Gb/mm²，速度为3.2Gbps。预计推出8TB QLC M.2固态硬盘。

存储器分为主存储器和辅助存储器，常见的辅助存储器有硬盘、软盘、光盘和U盘。内存是中间桥梁，提高数据运算速度。存储器层次结构包括暂存器、快取存储器、主存储器和辅助存储器。不同种类的存储器有不同的储存容量、工作速度和单位价格。常见的存储器有SRAM、DRAM、SDRAM、NOR闪存等。

铠侠开始量产2TB microSD卡，采用16个1Tb的3D NAND闪存，厚度小于0.8毫米，读取速度100MB/S，写入速度90MB/S，支持4K和高速视频录制。适用于数码相机、行程记录仪、视频博主、游戏玩家、无人机和智能手机等。价格未公布，将于下个季度上市。

市场调查机构集邦咨询预测NAND闪存价格将快速回升，西部数据已通知客户涨价，未来几个季度价格可能上涨55%。NAND需求增加，供应减少，导致价格回升。智能手机存储芯片和固态硬盘价格也在涨。日本力森诺科台湾厂区将关厂，导致机械硬盘价格上涨。西部数据调控产能，提醒客户检查订单情况。

西部数据和铠侠合并进展顺利，预计本月达成协议。新公司将成为全球最大的NAND闪存制造商，市场份额将超过三星电子。