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LDO基础特性-压降
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原文中文，约2200字，阅读约需6分钟。
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内容提要
低压降稳压器（LDO）的压降是VIN和VOUT之间的最小差值，由LDO架构决定。PMOS架构在较高输出电压下具有较低的压降，NMOS架构在较低输出电压下达到超低压降。选择LDO时需要考虑架构和其他因素。
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关键要点
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低压降稳压器（LDO）的压降是VIN和VOUT之间的最小差值。
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压降电压VDO是实现正常稳压所需的最小压差。
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LDO的压降由其架构决定，PMOS架构在高输出电压下具有较低压降，NMOS架构在低输出电压下达到超低压降。
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PMOS架构通过控制漏-源极电阻RDS来调节输出电压，随着VIN接近VOUT，RDS减小。
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NMOS架构通过增大VGS来降低RDS，保持稳压，但在特定点会达到饱和状态。
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偏置LDO使用辅助电压轨VBIAS来支持误差放大器，提升VGS以实现低压降。
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压降还受到其他因素的影响，选择LDO时需综合考虑这些因素。
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