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消息称三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试
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原文中文，约700字，阅读约需2分钟。
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内容提要
三星未能通过测试，未成为英伟达的HBM3内存芯片供应商，落后于SK海力士和美光。
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关键要点
- 三星未能通过英伟达的HBM3内存芯片测试，落后于SK海力士和美光。
- 三星电子曾因HBM内存存在裂纹被英伟达拉黑，但随后辟谣。
- 汤森路透报道三星的HBM3内存芯片因发热和功耗问题未能通过测试。
- HBM是高带宽存储器，适用于高存储器带宽需求的场景，尤其是图形处理器和网络设备。
- 英伟达的AI加速产品需要极高的带宽，SK海力士是其主要供应商。
- 三星和美光也在向英伟达提供HBM3内存芯片，但三星目前遇到问题。
- 三星自去年开始尝试通过英伟达的HBM3和HBM3E测试，最近一次失败测试结果在4月公布。
- 三星尚未成为英伟达的供应商，显示出其在HBM芯片技术上的落后。
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