Power's Wiki
·
Basic Components - Field Effect Transistor
💡
原文中文，约3200字，阅读约需8分钟。
📝
内容提要
本文介绍了场效应管的基本概念、结构和增强型N沟道MOS管的特性。同时，介绍了MOS管的封装类型、反馈和选型关键参数。
🎯
关键要点
- 场效应管是一种电压控电流的器件，常用的MOS管由金属、氧化物和半导体组成。
- MOS管的引脚定义为：G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。
- MOS管的导通条件由G和S极之间的压差决定，N-MOS和P-MOS的导通条件不同。
- 增强型MOS管的结构是在P型硅衬底上制作两个N型沟槽，具有特定的伏安特性。
- MOSFET的工作状态包括截止区、可变电阻区、恒流区、击穿区和过损耗区。
- MOSFET的主要参数包括开启电压、夹断电压、直流输入电阻等。
- N-MOS和P-MOS的驱动电压要求不同，N-MOS需要更高的电压，P-MOS则需要更低的电压。
- 三极管与场效应管的对比显示了它们在特性、输入阻抗、噪声和反应速度上的差异。
- MOS管的封装类型包括SOT、TO和SOP等，适用于不同功率和应用场景。
➡️
