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揭开mos管损坏之谜，看完觉得太值了
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原文中文，约1200字，阅读约需3分钟。
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内容提要
本文介绍了五种导致器件破坏的原因，包括雪崩破坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、寄生振荡导致的破坏以及栅极电涌、静电破坏。
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关键要点
- 雪崩破坏是器件在特定条件下因电涌电压超过额定值而导致的破坏。
- 器件发热损坏由超出安全区域的直流功率和瞬态功率引起。
- 内置二极管破坏是由于寄生二极管在Flyback时的运行导致的。
- 寄生振荡导致的破坏在并联功率MOSFET时尤为容易发生，未插入栅极电阻时会引起振荡。
- 栅极电涌和静电破坏主要是由于栅极和源极之间的电压浪涌和静电引起的。
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