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SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存
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原文中文，约600字，阅读约需2分钟。
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内容提要
SK海力士宣布已完成321层2Tb QLC NAND闪存的开发并启动量产，成为全球首个超过300层的QLC产品。新产品在容量和性能上优于前代，数据传输速度翻倍，写入性能提升56%。该技术将首先应用于PC SSD，随后扩展至企业级SSD和智能手机存储。
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关键要点
- SK海力士宣布已完成321层2Tb QLC NAND闪存的开发并启动量产。
- 这是全球首个超过300层的QLC产品，树立了NAND闪存密度的新标杆。
- 新产品容量为2Tb，是现有解决方案的两倍，提升了成本竞争力。
- 芯片内独立操作单元数量从4个增加到6个，提升了并行处理能力和读取性能。
- 321层QLC NAND在容量和性能上优于之前的产品，数据传输速度翻倍，写入性能提升56%。
- 写入功耗效率提升超过23%，增强了在低功耗人工智能数据中心的竞争力。
- 该技术将首先应用于个人电脑固态硬盘，随后扩展至企业级SSD和智能手机存储。
- SK海力士的32DP技术可实现单个封装内同时堆叠32颗NAND芯片，进入超大容量eSSD市场。
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