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为什么说 3nm 是现在芯片制程的天花板？
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原文中文，约3600字，阅读约需9分钟。
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内容提要
物理制程有极限，厂商宣传的3nm、2nm等数字不再代表实际导电沟道尺寸，而是命名游戏。胡正明通过FinFET技术解决了漏电问题，推动了芯片技术进步，但FinFET也有尺寸极限，未来是否成为新的天花板尚不明确。
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关键要点
- 物理制程有天花板，厂商宣传的3nm、2nm等数字不再代表实际导电沟道尺寸。
- 衡量工艺的标准混乱，导致人们不再使用真实的工艺命名。
- 芯片的基本单元是晶体管，决定其开关状态的是电压。
- 导电沟道的长度代表晶体管的工艺，沟道越短性能越好。
- 当沟道长度缩短到一定程度时，会出现漏电问题。
- 漏电会导致晶体管持续耗电，增加整体功耗。
- 最初的解决方案是减薄绝缘体，但存在极限。
- 胡正明通过研究发现漏电发生在半导体深处，提出了超薄晶体管的概念。
- FinFET技术通过立体结构解决了漏电问题，推动了芯片技术进步。
- 随着尺寸减小，FinFET也面临漏电等问题，未来是否成为新的天花板尚不明确。
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