美国指责荷兰阿斯麦（ASML）将EUV光刻机零件流入中国，阿斯麦否认整机在华。美国商务部长怀疑阿斯麦设备绕过出口管制，阿斯麦表示全球314台EUV光刻机均不在中国。中国通过DUV光刻机生产7纳米芯片，但EUV技术仍受限。美国希望通过限制核心零部件和认证体系来阻碍中国的光刻机发展。

尼康的浸没式光刻机降价后仍无人问津，主要因其套刻精度无法与ASML匹配。尽管尼康计划开发新平台以提升精度，但市场前景依然严峻。中国国产光刻机也面临类似挑战。

华为通过混合键合技术实现了7纳米芯片的堆叠，晶体管密度提升了53.5%。该方法避免了光刻机的限制，但面临技术难度和成本问题。尽管性能提升，专家认为这并不代表真正的技术领先，且美国若采用相同方法，可能会拉大差距。华为此举是因缺乏极紫外光刻机而采取的策略。

华为在ISCAS 2026上提出“韬（τ）定律”，以“时间缩微”替代传统的“几何缩微”，推动半导体技术进步。新技术将应用于2026年推出的麒麟芯片，预计晶体管密度和性能将大幅提升。该理论强调系统级架构创新，改变芯片竞争规则，尤其在国际技术限制下具有重要意义。

华为提出了“Tau缩放定律”和“逻辑折叠”技术，计划到2031年实现1.4纳米密度芯片，尽管尚未具备量产能力。这一方法通过电路和系统设计弥补光刻机的不足，面临成本和良率的挑战。华为的目标是优化性能，但与台积电的差距仍然显著。市场对华为的技术突破反应积极，相关半导体股票上涨。

手机芯片的制造过程极为精密，核心是光刻机。本文介绍了光刻机的工作原理、历史、主要公司（如ASML）及其竞争对手，以及光刻技术的地缘政治影响。光刻是半导体制造的基础，也是国家安全的重要组成部分。随着技术进步，光刻行业面临新的挑战与机遇，特别是在AI和新材料的推动下。

光刻技术是半导体工业的关键过程，利用ASML的极紫外光（EUV）扫描仪制造纳米级芯片。该技术通过光照将电路图案转印到硅片上，决定晶体管的大小和效率。ASML的EUV扫描仪以13.5nm波长推动摩尔定律，支持AI和5G等技术的发展。尽管面临高成本和复杂性，光刻技术的前景依然乐观。