极道
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中国芯片取得巨大突破：无需EUV光刻机的7纳米
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内容提要
华为Mate 60 Pro采用中芯国际制造的第二代7纳米级麒麟9000S芯片，性能与高通4纳米芯片相当。这是中国的创造性成就。
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关键要点
- 华为Mate 60 Pro采用中芯国际制造的第二代7纳米级麒麟9000S芯片。
- 该芯片性能与高通4纳米芯片相当，显示出中国在半导体制造方面的创造性成就。
- 华为通过海思半导体部门的芯片为Mate 60 Pro提供动力。
- 中芯国际使用旧工艺的DUV机器制造7纳米芯片，成本可能高出30-50%。
- 中国预计在2年内能够制造出5纳米芯片，但3纳米或更低水平的制造难度较大。
- Mate 60 Pro的芯片可能是通过秘密的芯片制造供应链获得的，或是基于之前的库存芯片。
- 中国可能使用ASML的深紫外沉浸式设备制造这些芯片。
- 中国的7纳米芯片与高通4纳米工艺芯片性能相当，技术差距缩小至几年。
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