英伟达将AI机柜供电从传统交流改为800V直流，解决了功耗过大、铜耗高和空间不足的问题。新方案降低了电流和发热，节省了铜材，提升了数据中心的效率。碳化硅和氮化镓技术的成熟使这一转变成为可能，未来将推动AI和电动车行业的发展。

三安集成在第十一届电子设计创新大会上展示了最新的砷化镓工艺HP56，性能优于前代HP12，增益和效率均有所提升。报告指出，功率密度的提升带来了热失控风险，并提出了优化建议以降低结温。此外，三安还展示了氮化镓工艺和滤波器产品的技术进展。

三安光电利用碳化硅（SiC）材料满足AI电源的高效率和高功率密度需求，构建垂直整合制造平台，推出650V至2000V的SiC二极管和MOSFET产品，服务全球顶级电源制造商。同时，推动碳化硅与氮化镓（GaN）双技术路线，优化器件并提供代工服务。

近年来，碳化硅和氮化镓等第三代半导体材料逐渐应用于数字电源，但高成本限制了其普及。极海推出的全数字双向电源参考方案，采用G32R501控制器，具备高效率和低噪声，适用于多种电源场景。

这款开源65W氮化镓PD充电器基于DK8607AD芯片，包含ACF反激底板和两款DCDC快充板。底板多次出现故障，但快充板性能正常，提供完整资料下载。

DB HiTek宣布其650V增强型氮化镓HEMT工艺开发已进入最终阶段，计划于10月底推出氮化镓多项目晶圆，适用于电动汽车充电、数据中心电源及5G设备。同时，公司将扩建韩国工厂，预计每月新增3.5万片产能，总产能提升23%。

3月14日，英飞凌在深圳举办“2025消费、计算与通讯创新大会”，展示了300mm氮化镓半导体和20μm超薄硅晶圆等技术，介绍了多款新产品，涵盖AI、机器人和边缘计算，强调能效和可靠性提升。预计2025财年AI业务营收将超6亿欧元。

奥海140W氮化镓青春版充电器虽然较重且存在断连问题，但支持PD 3.1和UFCS快充，外观优雅，价格合理，适合多设备充电。

安克发布了一款140W氮化镓充电器，拥有四个接口，可同时为多设备充电，并实时显示功率。