铠侠推出XL1内存扩展模块,面向AI数据中心,基于XL-FLASH闪存,通过CXL接口连接服务器内存。该模块介于DRAM与NVMe SSD之间,将低频访问数据从内存移至模块,提升效率并降低成本。与英特尔傲腾类似,但采用闪存技术路线,依赖CXL生态,本月起向合作伙伴出货样品。
华硕推出搭载AMD EPYC 9006系列处理器的机架式全闪存服务器,支持PCIe 6.0协议,最高可配32块固态硬盘。产品含单路和双路版本,双路旗舰款性能更强,适合AI、虚拟化、存储和云环境等资源密集型负载,提供高计算密度与灵活部署。
三星即将推出990固态硬盘,定位入门级,采用QLC闪存,提供1TB和2TB版本,质保3年,耐用性较差,预计售价低于990 EVO系列,适合预算有限的消费者。
SK海力士完成375层NAND闪存芯片的技术验证,计划年底量产。为提高性能,正尝试用钼膜替代传统的钨膜,钼膜在高层数下表现更佳。预计到2030年,钼在半导体行业的需求将显著增长。
群晖推出的FS200T桌面型全闪存NAS服务器,搭载英特尔赛扬J4125处理器,支持6块2.5英寸SATA SSD,主要面向家庭和小型工作室。相比机械硬盘,FS200T提供更高性能和安静运行,适合需要高读写速度的虚拟化和容器化应用,但用户需承担较高的固态硬盘成本。
中国移动高层考察记忆科技,了解其发展历程、产品布局及未来战略。忆联总经理分享了存储市场前景及公司在闪存、内存领域的发展,记忆科技已完成多款固态硬盘的测试。
美光在CES 2026上推出3610固态硬盘,采用M.2 2230规格和PCIe 5.0协议,主要面向OEM制造商。该硬盘使用4-bit QLC闪存,具备高存储密度和电源效率,但寿命较短,适合笔记本和游戏掌机,详细性能参数尚未公布。
SK海力士宣布已完成321层2Tb QLC NAND闪存的开发并启动量产,成为全球首个超过300层的QLC产品。新产品在容量和性能上优于前代,数据传输速度翻倍,写入性能提升56%。该技术将首先应用于PC SSD,随后扩展至企业级SSD和智能手机存储。
图睿科技将在南京全球闪存峰会上展示其SupremeRAID产品,具备高达290GB/s的读取速度和100GB/s的写入速度,支持多种RAID模式并延长SSD寿命。此外,公司还推出适用于AI和HPC任务的高性能存储解决方案。
华为OceanStor Dorado全闪存NAS存储在DCIG报告中排名前五,具备99.99%的勒索检测率和99.99999%的高可靠性。未来七年,全球NAS市场预计将增长近两倍,安全性成为企业选择NAS存储的重要因素。
NEO Semiconductor 宣布将于 2026 年推出 512GB 内存条,采用 3D X-DRAM 技术,通过垂直堆叠提升密度和性能,适用于人工智能和高性能计算。目前方案仍在早期验证阶段,未来需与硬件制造商合作。
复旦大学研发的“破晓(PoX)”皮秒闪存器件在《Nature》上发表,速度达到每秒25亿次,存储寿命超过十年。该器件利用石墨烯等二维材料,突破了传统闪存的速度限制,编程速度可达400皮秒,显著提升了载流子注入效率。
这款2TB USB闪存驱动器可为iPhone充电并备份,提供便捷的离线存储解决方案。
我尝试将智能家居设备集成到物联网中,主要是Wi-Fi灯泡,但通过Tuya Convert和手动闪存修改固件均失败。最终决定放弃,转而使用基于W2812B芯片的自定义LED灯环,效果更佳且价格更实惠。
ATMEGA328P是广泛用于Arduino Uno的流行微控制器,帮助理解Arduino的核心功能。该芯片由ATMEL公司开发,现归Microchip所有,具备8位处理器、20MHz时钟速度和32KB闪存等特点。阅读数据手册和引脚图可提升项目水平。
本文研究了高维向量数据库的存储与搜索,提出了一种基于内容的外部记忆访问方法,提升了记忆增强神经网络的性能。通过量化方法压缩记忆扩充神经网络,并开发了新型计算架构,结合注意机制实现高效图像分类。此外,提出了多任务自适应的神经网络编码方法和基于记忆的推断机制,显著提高了计算效率和准确性。
日本闪存芯片制造商Kioxia计划在东京证券交易所上市,旨在筹集至少5亿美元,并实现超过100亿美元的估值。Kioxia是全球第三大NAND闪存供应商,此前曾试图与Western Digital合并其NAND业务,但被SK Hynix拒绝。Kioxia的IPO正值人工智能技术快速发展,对存储芯片需求增加。IPO后的主要股东将是Bain Capital(56.24%)、东芝(40.64%)和LVMH(3.13%)。尚未披露IPO后这些股东的股份稀释情况。
本文介绍了一种有效运行超过可用DRAM容量的大型语言模型(LLMs)的方法,通过将模型参数存储在闪存中,并按需将其传输到DRAM中来解决计算和内存需求的挑战。作者构建了推理成本模型,考虑了闪存特性,引入了窗口化和行列捆绑两种主要技术。这种方法使得模型可以在可用DRAM容量的两倍大小下运行,并且相比于CPU和GPU的朴素加载方法,推理速度分别提高了4-5倍和20-25倍。
瑞萨RL78系列单片机支持百万次读写的数据闪存,省去外部存储器件,降低硬件成本。每个地址的读写次数可达到100万次,MCU内部RAM相关区域需要避开。
闪存结合了ROM和RAM的优点,具有可编程和可擦除的特性,数据读取快速,是非易失性随机存取存储器(NVRAM)。NOR Flash通常用于存储重要信息,如程序和操作系统,而NAND Flash更适合大容量存储的成本效益。大多数设备如手机和固态硬盘使用NAND Flash。在微控制器中,由于其较好的写入性能和稳定性,通常使用NOR Flash作为内部存储。
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