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GaN器件近结热管理及建模简化的影响
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原文中文，约5400字，阅读约需13分钟。
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内容提要
这篇文章分析了建模简化对器件仿真结温的影响。研究发现，忽略封装结构是可行的，二维简化可能会高估结温30%，而复杂结构对结温没有影响。文章还分析了几个参数对结温的影响。然而，这些分析可能忽略了热阻随结构参数变化的趋势。研究还讨论了近结热管理和建模简化对器件热阻的影响。忽略封装结构会导致错误的优化趋势，而单周期近似可以近似考虑热串扰的影响，但不能用于器件设计和优化。
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关键要点
- 建模简化对器件仿真结温的影响分析。
- 忽略封装结构是可行的，二维简化可能高估结温30%。
- 复杂结构对结温没有显著影响。
- 热阻随结构参数变化的趋势可能被忽略。
- 近结热管理和建模简化对器件热阻的影响需重视。
- 忽略封装结构会导致错误的优化趋势。
- 单周期近似可考虑热串扰影响，但不适用于器件设计和优化。
- 近结热管理需平衡扩展热阻和一维热阻。
- 增大GaN层厚度可降低结温，但存在极值点。
- 热串扰影响器件性能和可靠性，需在设计中控制。
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