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通过强化微调生成模型设计拓扑材料
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原文中文，约300字，阅读约需1分钟。
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内容提要
本研究通过生成模型解决了拓扑绝缘体和拓扑晶体绝缘体材料稀缺的问题，提出了强化微调方法，成功生成了新材料Ge$_2$Bi$_2$O$_6$，其全带隙为0.26 eV，展现出应用潜力。
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关键要点
- 本研究解决了拓扑绝缘体和拓扑晶体绝缘体材料稀缺的问题。
- 通过生成模型生成新型拓扑材料。
- 提出了一种利用强化微调（ReFT）改进生成模型的方法。
- 成功生成了许多新拓扑材料。
- Ge$_2$Bi$_2$O$_6$是具有0.26 eV全带隙的代表性材料，展现了应用潜力。
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