三安光电专注于高功率芯片的先进封装，利用碳化硅材料解决散热问题。碳化硅的热导率是硅的三倍，显著降低芯片温度和散热成本。公司已研发12英寸碳化硅衬底，并向多家厂商交付产品，构建了全链产能矩阵。

三安光电通过大尺寸衬底工艺推动刚性电池的标准化与低成本，使太空电力供应变得更经济。其6英寸产线提高了晶圆利用率，降低了单位成本，三结叠层刚性电池在太空标准下的转换效率超过30%。该技术使刚性电池从高定制产品转变为性价比高的标准组件。

三安光电在高速光芯片、海外市场和车载光通信领域取得突破，推出具国际竞争力的100G EML芯片和CW光源产品，并研发车规级光芯片，实现规模化交付。

三安光电利用碳化硅（SiC）材料满足AI电源的高效率和高功率密度需求，构建垂直整合制造平台，推出650V至2000V的SiC二极管和MOSFET产品，服务全球顶级电源制造商。同时，推动碳化硅与氮化镓（GaN）双技术路线，优化器件并提供代工服务。

随着人工智能技术的发展，AR眼镜成为科技的焦点。碳化硅因其优异性能受到关注，能够提升AR眼镜的视场角和续航能力。三安光电推出了满足市场需求的光学晶片，推动国产技术的应用，但成本仍是主要限制因素。

三安光电旗下的湖南三安在长沙举行碳化硅芯片上车仪式，标志着与理想汽车合作进入新阶段。双方深入讨论了芯片技术，湖南三安将增加研发投入，提升产能和良率，以巩固在第三代半导体产业的竞争优势。

11月7日至10日，CPEEC & CPSSC 2025在深圳举行。三安半导体展示了其碳化硅技术成果，推出面向可再生能源的SiC MOSFET功率器件，并与理想汽车合作开发全桥电源模块。产品已迭代至第五代，累计出货超3亿颗，获技术创新奖。

2025世界显示产业创新发展大会在成都召开，三安光电旗下艾迈谱展示了Micro LED技术。副总经理徐宸科博士强调巨量转移技术在提升生产效率和降低成本方面的重要性。艾迈谱推出的Micro-MiP P0.9显示箱体实现了超高画质与低成本的结合，具备3840Hz刷新率和高对比度，适用于高端应用。

三安集成推出0.4μm Ledge GaAs HBT工艺H10HP56，提升射频芯片频率，满足智能手机和Wi-Fi 7等高功率需求，预计2024年底实现大规模量产。

三安在PCIM Asia上海展上展示了碳化硅全产业链产品，应用于新能源汽车和光伏储能。副总顾子琨博士在ISES China 2025峰会上介绍了碳化硅MOSFET技术的进展与突破。

AR技术与人工智能的结合推动AR眼镜进入消费市场。三安光电在Micro LED和SiC领域布局，促进AR眼镜的规模化应用，目前产品已进入小批量验证阶段，技术指标达到国际先进水平。

厦门举办的AI实训营聚焦智能制造，来自25家企业的学员学习深度学习在工业视觉中的应用。课程包括理论与实战，学员们构建智能体DEMO，探索AI在生产风险预警和管理系统整合中的应用。未来将开展更多专题训练营，推动AI技术落地。

EDICON 2025射频和无线通信设计盛会将于4月23-24日在北京举行。三安分享了无线通信市场趋势及射频工艺进展，推出第三代砷化镓HBT工艺，以提升功放效率和器件可靠性，支持高阶5G应用。

国际电工委员会发布了《声表面波器件用单晶晶片规范与测量方法》，首次明确了压电材料的光学性能标准。三安滤波器团队在透过率技术要求上做出了重要贡献，标志着中国在高端压电材料领域的规则制定能力提升。