三安光电量产柔性砷化镓电池片，厚度不足0.1毫米，重量轻，转换效率达33%，优于晶硅电池。公司通过“衬底去除”技术回收镓金属，降低成本。产品已用于国内外商业航天项目，2026年上半年海外订单超2025年全年，出货量达去年70%以上。

三安光电在北京的研讨会上介绍了其碳化硅方案在AI服务器电源领域的最新成果，650V SiC MOSFET效率高达96.71%，能效提升约5%。预计五年内可节省电费60万美元，并降低散热能耗和运维成本。公司已在多个领域应用碳化硅产品，并计划加速8英寸衬底的量产。

湖南三安成功突破低电阻碳化硅衬底技术，电阻率稳定在11mΩ·cm，较传统减半。该技术解决了低电阻与高品质的难题，已完成全流程验证，具备量产能力，客户可无缝升级，降低成本。

三安光电专注于碳化硅和金刚石等宽禁带材料，推动AR光学、中介层和热沉技术的发展，升级AI芯片封装。其湖南和重庆基地已实现大规模生产，碳化硅二极管出货量达4亿颗，销售收入近20亿元。

三安光电在光通信与光互联领域进行系统性布局，依托垂直整合优势，逐步转型为核心光芯片厂商。公司已实现400G/800G光模块的批量出货，并开发1.6T和3.2T光芯片，增强技术竞争力，同时拓展至新型光互联和车载光电子市场。

湖南三安在2026年第一季度已向麦格米特交付超过60万颗碳化硅芯片，这些芯片用于大疆无人机的电源解决方案，提升了电机驱动系统的效率和可靠性。三安光电的产品涵盖650V至2000V的全系列SiC MOSFET，满足市场需求。

三安集成在第十一届电子设计创新大会上展示了最新的砷化镓工艺HP56，性能优于前代HP12，增益和效率均有所提升。报告指出，功率密度的提升带来了热失控风险，并提出了优化建议以降低结温。此外，三安还展示了氮化镓工艺和滤波器产品的技术进展。

三安光电的碳化硅器件已在维谛技术电源系统中批量应用，2025年订单量同比增长252%。三安已向维谛供货超500万颗碳化硅芯片，并计划共建高压电源实验室，聚焦3300V SiC MOSFET的创新应用。

三安光电专注于高功率芯片的先进封装，利用碳化硅材料解决散热问题。碳化硅的热导率是硅的三倍，显著降低芯片温度和散热成本。公司已研发12英寸碳化硅衬底，并向多家厂商交付产品，构建了全链产能矩阵。

三安光电通过大尺寸衬底工艺推动刚性电池的标准化与低成本，使太空电力供应变得更经济。其6英寸产线提高了晶圆利用率，降低了单位成本，三结叠层刚性电池在太空标准下的转换效率超过30%。该技术使刚性电池从高定制产品转变为性价比高的标准组件。

三安光电在高速光芯片、海外市场和车载光通信领域取得突破，推出具国际竞争力的100G EML芯片和CW光源产品，并研发车规级光芯片，实现规模化交付。

三安光电利用碳化硅（SiC）材料满足AI电源的高效率和高功率密度需求，构建垂直整合制造平台，推出650V至2000V的SiC二极管和MOSFET产品，服务全球顶级电源制造商。同时，推动碳化硅与氮化镓（GaN）双技术路线，优化器件并提供代工服务。

随着人工智能技术的发展，AR眼镜成为科技的焦点。碳化硅因其优异性能受到关注，能够提升AR眼镜的视场角和续航能力。三安光电推出了满足市场需求的光学晶片，推动国产技术的应用，但成本仍是主要限制因素。

三安光电旗下的湖南三安在长沙举行碳化硅芯片上车仪式，标志着与理想汽车合作进入新阶段。双方深入讨论了芯片技术，湖南三安将增加研发投入，提升产能和良率，以巩固在第三代半导体产业的竞争优势。

11月7日至10日，CPEEC & CPSSC 2025在深圳举行。三安半导体展示了其碳化硅技术成果，推出面向可再生能源的SiC MOSFET功率器件，并与理想汽车合作开发全桥电源模块。产品已迭代至第五代，累计出货超3亿颗，获技术创新奖。

2025世界显示产业创新发展大会在成都召开，三安光电旗下艾迈谱展示了Micro LED技术。副总经理徐宸科博士强调巨量转移技术在提升生产效率和降低成本方面的重要性。艾迈谱推出的Micro-MiP P0.9显示箱体实现了超高画质与低成本的结合，具备3840Hz刷新率和高对比度，适用于高端应用。

三安集成推出0.4μm Ledge GaAs HBT工艺H10HP56，提升射频芯片频率，满足智能手机和Wi-Fi 7等高功率需求，预计2024年底实现大规模量产。

三安在PCIM Asia上海展上展示了碳化硅全产业链产品，应用于新能源汽车和光伏储能。副总顾子琨博士在ISES China 2025峰会上介绍了碳化硅MOSFET技术的进展与突破。