MOSFET的寄生电容是如何影响其开关速度的?
原文中文,约2100字,阅读约需5分钟。发表于: 。深入了解MOSFET时,我们意识到其栅极与漏源间隔着绝缘层,这就意味着栅源(GS)和栅漏(GD)间必然存在寄生电容,即CGS和CGD。在沟道尚未形成之前,漏源间亦有寄生电容CDS。因此,在考虑到这些寄生电容的情况下,MOSFET的等效电路便呈现为图 2 所示。然而,在常规的MOSFET数据手册中,这三个寄生电容参数通常是看不到的。手册里提供的参数更多是CISS、COSS和CRSS(如图 1...
MOSFET的等效电路包括寄生电容CGS、CGD和CDS。寄生电容会影响开关速度,RG越大充电时间越长,RG太小会对前级驱动电路造成冲击。常用的高速驱动电路包括BJT和快恢复二极管。在实际应用中,可以在栅源之间并联电阻防止MOSFET处于非理性状态。残留电荷会导致MOSFET工作在放大状态,通过并联电阻泄放残留电荷可以防止这种情况发生。